长鑫科技G6内存技术展望：面积缩减与新工艺应用

长鑫科技近日发布了其下一代G6内存技术的相关预测，计划于2028年推出。新一代产品将在DUV光刻工艺的基础上进行改进，将芯片单元面积从G5代的0.00128205平方微米缩减至0.000896平方微米，缩减幅度达到30%。为了克服缺乏EUV光刻机的挑战，长鑫从深度优化DUV工艺入手，接近该技术的极限。根据技术专家Frederick Chen的分析，G6的单元面积将通过优化193纳米DUV浸没式光刻机和引入自对准四重图案化（SAQP）技术实现，同时部分层级还会采用自对准双重图案化（SADP）工艺。

在工艺节点上，G6的字线、位线和有源区间距分别将从G5代的33.3纳米、38.5纳米和23.9纳米缩减至28纳米、32纳米和20纳米，光刻胶也将升级为193i LE4或X-SADP。最引人注目的是，G6首次引入了键合工艺，M0层采用了"193i LELE bonded"标注，这表明长鑫计划通过晶圆级混合键合来制造DRAM存储阵列与外围逻辑电路，从而实现互联。

长鑫科技总裁曹堪宇曾指出，新架构的关键在于将DRAM与CMOS工艺解耦，提升互联速度，预计在年末推出集成该技术的DDR5 RDIMM产品。G6或将是6F²内存芯片结构的最后一代，长鑫已经布局3D内存技术，计划在2030年后推出可能转向4F²结构或支持64层以上堆叠的G7代产品。 pg赏金女王